ISZ072N06NM6ATMA1 vs IQE018N06NM6SCATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISZ072N06NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IQE018N06NM6SCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IQE018N06NM6SCATMA1 - 60V 1.8mΩ OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IQE018N06NM6SCATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | ISZ072N06NM6ATMA1 | IQE018N06NM6SCATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 60V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 57 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 12.7 A | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 7.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V (typ) | — |
| পাওয়ার ডিসিপেশন (TC=25°C) | 50 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| প্যাকেজ | PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) | PG-WHSON-8-1 (5x6 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +175C ( Tj max 175C ) | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| MSL লেভেল | 1 | — |
| Part Family | — | OptiMOS 6 60 V |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 25 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 178 A |
| On-Resistance RDS(on) Max | — | 1.8 mΩ at VGS=10 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | — | 3.3 V |
| Power Dissipation (TA) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 125 W |
| Lead-Free | — | Yes |