ISZ230N10NM6ATMA1 vs IPD068N10N3GATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISZ230N10NM6ATMA1 بواسطة Infineon و IPD068N10N3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISZ230N10NM6ATMA1 | IPD068N10N3GATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 7.7 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 31 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 23 mΩ (typ, ID=10A) | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 3.3 V (typ at 13 µA) | 2.0 V to 4.0 V (typical) |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) |
| العلبة | PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) | PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +150 °C (junction) | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| مستوى MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Family | OptiMOS 6 (100V class) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPD068N10N3GATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 90 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 6.8 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 150 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 C to +175 C |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single |
| Packing | — | Tape & Reel (T/R) |
| Qualification | — | Industrial (non-automotive) |