ISZ230N10NM6ATMA1 vs IPD068N10N3GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISZ230N10NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD068N10N3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPD068N10N3GATMA1 - 100V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPD068N10N3GATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISZ230N10NM6ATMA1 | IPD068N10N3GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 7.7 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 31 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 23 mΩ (typ, ID=10A) | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 3.3 V (typ at 13 µA) | 2.0 V to 4.0 V (typical) |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) |
| پیکیج | PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) | PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +150 °C (junction) | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| MSL لیول | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Family | OptiMOS 6 (100V class) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPD068N10N3GATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 90 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 6.8 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 150 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 C to +175 C |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single |
| Packing | — | Tape & Reel (T/R) |
| Qualification | — | Industrial (non-automotive) |