K4A4G165WD-BCTD vs K4A4G165WD-BCRC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A4G165WD-BCTD بواسطة Samsung Electronics و K4A4G165WD-BCRC بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A4G165WD-BCTD | K4A4G165WD-BCRC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| معدل البيانات | 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Core Supply (VPP) | 2.5 V | — |
| الواجهة | SSTL-12 | — |
| Data Mask | Yes (DM per byte lane) | — |
| Bank Architecture | 16 banks / 4 bank groups | — |
| العلبة | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| نوع التركيب | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C (commercial) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes (external RZQ resistor) | Yes |
| CRC / CA Parity | CRC read/write support | — |
| Reset | Asynchronous reset (RESET_n) | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Lead free / RoHS Compliant |
| Speed Bin | — | DDR4-2400 (BCRC) |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| Process Generation | — | Samsung D-die |
| نوع الواجهة | — | DDR4 (double data rate, parallel) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |