K4A8G085WB-BCPB vs K4A8G085WB-BCRC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G085WB-BCPB بواسطة Samsung Electronics و K4A8G085WB-BCRC بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G085WB-BCPB | K4A8G085WB-BCRC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | $4.10 | — |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V |
| Max Clock Frequency | 1066 MHz | — |
| Max Access Time | 0.18 ns | — |
| Max Standby Current | 0.016 mA | — |
| Refresh Cycles | 8192 | 8192 |
| Technology | CMOS, 8Gb B-die | CMOS |
| العلبة | 78-ball FBGA (BGA78 / TFBGA), rectangular, 11 mm length | 78-ball FBGA |
| Number of Terminals | 78 | 78 |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | 0°C to 85°C |
| الواجهة | DDR4 SDRAM parallel interface | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Operating Temperature Grade | Commercial (0C to 85C) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| التنظيم | — | 1G x 8 |
| معدل البيانات | — | 2400 Mbps |
| Access Time | — | 0.175 ns |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |