K4A8G085WB-BCPB vs K4A8G085WB-BCRC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G085WB-BCPB توسط Samsung Electronics و K4A8G085WB-BCRC توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G085WB-BCPB | K4A8G085WB-BCRC |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | $4.10 | — |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.2 V |
| Max Clock Frequency | 1066 MHz | — |
| Max Access Time | 0.18 ns | — |
| Max Standby Current | 0.016 mA | — |
| Refresh Cycles | 8192 | 8192 |
| Technology | CMOS, 8Gb B-die | CMOS |
| بسته‌بندی | 78-ball FBGA (BGA78 / TFBGA), rectangular, 11 mm length | 78-ball FBGA |
| Number of Terminals | 78 | 78 |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| دمای کاری | 0C to +85C | 0°C to 85°C |
| رابط | DDR4 SDRAM parallel interface | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Operating Temperature Grade | Commercial (0C to 85C) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| سازمان | — | 1G x 8 |
| نرخ داده | — | 2400 Mbps |
| Access Time | — | 0.175 ns |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |