K4A8G085WB-BCTD vs K4A8G085WC-BCPB مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G085WB-BCTD بواسطة Samsung Electronics و K4A8G085WC-BCPB بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCPB ✗ انتهى عمره الإنتاجيمقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G085WB-BCTD | K4A8G085WC-BCPB |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نهاية العمر الإنتاجي |
| سعر الوحدة (USD) | $8.53 | — |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| التنظيم | 1G x 8 | 1G x 8 |
| معدل البيانات | 2666 Mbps | 2133 Mbps |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V |
| Die Revision | B-die | [DATA_NEEDED: die revision] |
| العلبة | FBGA-78 (78-ball TFBGA) | 78FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Bank Structure | 16 banks, 4 bank groups | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT), dynamic ODT | — |
| الميزات | ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0 C to +85 C |
| Speed Bin | -BCTD (CL-tRCD-tRP bin) | — |
| Terminations | 78 | — |
| JEDEC-30 Package Code | R-PBGA-B78 | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Maximum Seated Height | — | 1.2 mm |
| Speed Grade | — | DDR4-2133 |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Standard Package Quantity | — | [DATA_NEEDED: standard package quantity] |