K4A8G085WB-BCTD vs K4A8G085WC-BCPB Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G085WB-BCTD tarafından Samsung Electronics ve K4A8G085WC-BCPB tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung
K4A8G085WB-BCTD ✓ AktifSamsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCPB ✗ Son Kullanım ZamanıÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | K4A8G085WB-BCTD | K4A8G085WC-BCPB |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | DRAM |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Hayat Dönemi Sonu |
| Birim Fiyat (USD) | $8,53 | — |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organizasyon | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Veri Hızı | 2666 Mbps | 2133 Mbps |
| Besleme Gerilimi | 1.2 V | 1.2 V |
| Die Revision | B-die | [DATA_NEEDED: die revision] |
| Paket | FBGA-78 (78-ball TFBGA) | 78FBGA |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Bank Structure | 16 banks, 4 bank groups | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT), dynamic ODT | — |
| Özellikler | ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| İşletim Sıcaklığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0 C to +85 C |
| Speed Bin | -BCTD (CL-tRCD-tRP bin) | — |
| Terminations | 78 | — |
| JEDEC-30 Package Code | R-PBGA-B78 | — |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Maximum Seated Height | — | 1.2 mm |
| Speed Grade | — | DDR4-2133 |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] |
| CAS Gecikme | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Standard Package Quantity | — | [DATA_NEEDED: standard package quantity] |