K4A8G085WB-BCTD vs K4A8G085WC-BCPB مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G085WB-BCTD توسط Samsung Electronics و K4A8G085WC-BCPB توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCPB ✗ پایان تولیدمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G085WB-BCTD | K4A8G085WC-BCPB |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دستهبندی | Memory ICs | DRAM |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | پایان عمر محصول |
| قیمت واحد (USD) | $8.53 | — |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| سازمان | 1G x 8 | 1G x 8 |
| نرخ داده | 2666 Mbps | 2133 Mbps |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.2 V |
| Die Revision | B-die | [DATA_NEEDED: die revision] |
| بستهبندی | FBGA-78 (78-ball TFBGA) | 78FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Bank Structure | 16 banks, 4 bank groups | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT), dynamic ODT | — |
| ویژگیها | ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0 C to +85 C |
| Speed Bin | -BCTD (CL-tRCD-tRP bin) | — |
| Terminations | 78 | — |
| JEDEC-30 Package Code | R-PBGA-B78 | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Maximum Seated Height | — | 1.2 mm |
| Speed Grade | — | DDR4-2133 |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Standard Package Quantity | — | [DATA_NEEDED: standard package quantity] |