K4A8G085WC-BCRC vs K4A8G085WC-BCPB مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G085WC-BCRC بواسطة Samsung Electronics و K4A8G085WC-BCPB بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCPB ✗ انتهى عمره الإنتاجيمقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G085WC-BCRC | K4A8G085WC-BCPB |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | DRAM | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نهاية العمر الإنتاجي |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| التنظيم | 1G x 8 | 1G x 8 |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V |
| معدل البيانات | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2133 Mbps |
| العلبة | 78-ball FBGA (TFBGA) | 78FBGA |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +95C | 0 C to +85 C |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Refresh | Auto/Self refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Maximum Seated Height | — | 1.2 mm |
| Speed Grade | — | DDR4-2133 |
| الميزات | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Die Revision | — | [DATA_NEEDED: die revision] |
| Standard Package Quantity | — | [DATA_NEEDED: standard package quantity] |