K4A8G085WC-BCRC vs K4A8G085WC-BCPB Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4A8G085WC-BCRC sa pamamagitan ng Samsung Electronics at K4A8G085WC-BCPB sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCPB ✗ Tapus ng BuhayPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4A8G085WC-BCRC | K4A8G085WC-BCPB |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorya | DRAM | DRAM |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Tapus ng Buhay |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| Organisasyon | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Volte ng Pagbibigay | 1.2 V | 1.2 V |
| Rate ng Data | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2133 Mbps |
| Packhaging | 78-ball FBGA (TFBGA) | 78FBGA |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | — |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature na Operasyon | 0C to +95C | 0 C to +85 C |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Tindminan RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Refresh | Auto/Self refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Maximum Seated Height | — | 1.2 mm |
| Speed Grade | — | DDR4-2133 |
| Mga Karakteristika | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Latensya ng CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Die Revision | — | [DATA_NEEDED: die revision] |
| Standard Package Quantity | — | [DATA_NEEDED: standard package quantity] |