K4A8G085WC-BCRC vs K4A8G085WC-BCPB 比較

詳細並排比較 K4A8G085WC-BCRC 由 Samsung Electronics 與 K4A8G085WC-BCPB 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCRC K4A8G085WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WC-BCRC ✓ 啟用中
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB ✗ 停產

規格比較

參數 K4A8G085WC-BCRC K4A8G085WC-BCPB
品牌 Samsung Electronics Samsung Electronics
類別 DRAM DRAM
生命週期狀態 啟用中 停產終止
記憶體類型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
組織 1G x 8 1G x 8
供應電壓 1.2 V 1.2 V
資料速率 2400 Mbps (DDR4-2400) 2133 Mbps
封裝 78-ball FBGA (TFBGA) 78FBGA
Terminal Pitch 0.8 mm —
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
工作溫度 0C to +95C 0 C to +85 C
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
Dynamic On-Die Termination Yes —
Data Mask Function Yes —
RoHS 狀態 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Refresh Auto/Self refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x]
Number of Terminals — 78
Maximum Seated Height — 1.2 mm
Speed Grade — DDR4-2133
功能特色 — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
CAS 延遲 — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Die Revision — [DATA_NEEDED: die revision]
Standard Package Quantity — [DATA_NEEDED: standard package quantity]

資料表與資源

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