K4AAG085WA-BCTD vs K4AAG085WA-BCWE مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4AAG085WA-BCTD بواسطة Samsung Electronics و K4AAG085WA-BCWE بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4AAG085WA-BCTD | K4AAG085WA-BCWE |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit (2 GB) | 16 Gbit |
| التنظيم | 2G x 8 | 2G x 8 |
| معدل البيانات | 2666 Mbps | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V |
| العلبة | 78-ball FBGA (78FBGA) | 78-ball FBGA (9 x 11 mm, 0.8 mm pitch) |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | 0 C to 85 C |
| Speed Grade | DDR4-2666 (-BCTD) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| الواجهة | DDR4 parallel, JEDEC DDR4 ballout | JEDEC DDR4 |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Bank Architecture | 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard) | — |
| Burst Length | BL8 (DDR4 standard) | — |
| Application Domain | Computing, networking, industrial memory | — |
| Manufacturing Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Lead Time / Stock | [DATA_NEEDED: current stock status] | — |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Memory Width | — | 8-bit |
| Refresh | — | Auto-refresh (per JEDEC DDR4) |
| Application Class | — | Main memory / embedded DRAM |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |