K4AAG085WA-BCWE vs K4AAG165WA-BCWE مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4AAG085WA-BCWE بواسطة Samsung Electronics و K4AAG165WA-BCWE بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4AAG085WA-BCWE | K4AAG165WA-BCWE |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | — |
| التنظيم | 2G x 8 | — |
| معدل البيانات | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0 C to 85 C | -40C to +95C |
| العلبة | 78-ball FBGA (9 x 11 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| الواجهة | JEDEC DDR4 | — |
| Memory Width | 8-bit | — |
| Refresh | Auto-refresh (per JEDEC DDR4) | — |
| Application Class | Main memory / embedded DRAM | — |
| حالة RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| حجم الذاكرة | — | 16 Gb (2 GB) |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Package Dimensions | — | 13 x 9 mm |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| نوع الواجهة | — | Parallel, DDR4 |
| Memory Format | — | DRAM (Volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture |
| Packaging | — | Tray |
| Product Status | — | Active |