K4AAG085WA-BCWE vs K4AAG165WA-BCWE तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4AAG085WA-BCWE द्वारा Samsung Electronics और K4AAG165WA-BCWE द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4AAG085WA-BCWE | K4AAG165WA-BCWE |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | — |
| संगठन | 2G x 8 | — |
| डेटा दर | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0 C to 85 C | -40C to +95C |
| पैकेज | 78-ball FBGA (9 x 11 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| इंटरफ़ेस | JEDEC DDR4 | — |
| Memory Width | 8-bit | — |
| Refresh | Auto-refresh (per JEDEC DDR4) | — |
| Application Class | Main memory / embedded DRAM | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| मेमोरी आकार | — | 16 Gb (2 GB) |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Package Dimensions | — | 13 x 9 mm |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| इंटरफ़ेस प्रकार | — | Parallel, DDR4 |
| Memory Format | — | DRAM (Volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture |
| Packaging | — | Tray |
| Product Status | — | Active |