K4AAG085WA-BCWE vs K4AAG165WA-BCWE השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4AAG085WA-BCWE מאת Samsung Electronics ו K4AAG165WA-BCWE מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4AAG085WA-BCWE | K4AAG165WA-BCWE |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | — |
| ארגון | 2G x 8 | — |
| קצב נתונים | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| מתח אספקה | 1.2 V | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| טמפרטורת פעולה | 0 C to 85 C | -40C to +95C |
| מארז | 78-ball FBGA (9 x 11 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| ממשק | JEDEC DDR4 | — |
| Memory Width | 8-bit | — |
| Refresh | Auto-refresh (per JEDEC DDR4) | — |
| Application Class | Main memory / embedded DRAM | — |
| סטטוס RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| גודל זיכרון | — | 16 Gb (2 GB) |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Package Dimensions | — | 13 x 9 mm |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| סוג ממשק | — | Parallel, DDR4 |
| Memory Format | — | DRAM (Volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture |
| Packaging | — | Tray |
| Product Status | — | Active |