K4AAG165WA-BCPB vs K4A8G165WC-BCPB مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4AAG165WA-BCPB بواسطة Samsung Electronics و K4A8G165WC-BCPB بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4AAG165WA-BCPB | K4A8G165WC-BCPB |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | Volatile DRAM (DDR4 SDRAM) | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Technology | DDR4 | — |
| Density | 16 Gb | — |
| التنظيم | 1G x 16 | — |
| معدل البيانات | 3200 Mbps | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Interface Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| العلبة | FBGA-96 | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature for BCPB grade] | 0C to +95C |
| Memory Format | DRAM | — |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| Power Consumption | 25% lower than DDR3 (per Samsung DDR4 family) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4 internal bank groups) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Max Capacity Family | Up to 32GB component (Samsung DDR4 family) | — |
| حجم الذاكرة | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| الواجهة | — | DDR4 (16-bit data bus) |
| Die Generation | — | C-die (1Y nm class) |
| الميزات | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Termination | — | On-die termination (ODT), dynamic |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |