K4AAG165WA-BCPB vs K4A8G165WC-BCPB तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4AAG165WA-BCPB द्वारा Samsung Electronics और K4A8G165WC-BCPB द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Samsung Electronics
K4AAG165WA-BCPB K4AAG165WA-BCPB - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4AAG165WA-BCPB - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4AAG165WA-BCPB ✓ सक्रिय
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCPB K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung

K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung

K4A8G165WC-BCPB ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर K4AAG165WA-BCPB K4A8G165WC-BCPB
ब्रांड Samsung Electronics Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार Volatile DRAM (DDR4 SDRAM) DDR4 SDRAM (volatile DRAM)
Technology DDR4 —
Density 16 Gb —
संगठन 1G x 16 —
डेटा दर 3200 Mbps DDR4-2133 (2133 Mbps/pin)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Interface Voltage (VDDQ) 1.2 V —
पैकेज FBGA-96 96-ball FBGA (TFBGA)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature for BCPB grade] 0C to +95C
Memory Format DRAM —
Packaging Tray —
Product Status Active —
Power Consumption 25% lower than DDR3 (per Samsung DDR4 family) —
Bank Group Architecture Yes (DDR4 internal bank groups) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Max Capacity Family Up to 32GB component (Samsung DDR4 family) —
मेमोरी आकार — 8 Gb
Memory Organization — 512M x 16
सप्लाई वोल्टेज — 1.2 V
Operating Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V
इंटरफ़ेस — DDR4 (16-bit data bus)
Die Generation — C-die (1Y nm class)
विशेषताएँ — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Termination — On-die termination (ODT), dynamic
MSL स्तर — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Standard — JEDEC DDR4 SDRAM

डेटाशीट और संसाधन

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