K4AAG165WA-BCPB vs K4A8G165WC-BCPB مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار K4AAG165WA-BCPB توسط Samsung Electronics و K4A8G165WC-BCPB توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Samsung Electronics
K4AAG165WA-BCPB K4AAG165WA-BCPB - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4AAG165WA-BCPB - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4AAG165WA-BCPB ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCPB K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung

K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung

K4A8G165WC-BCPB ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر K4AAG165WA-BCPB K4A8G165WC-BCPB
برند Samsung Electronics Samsung Electronics
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه Volatile DRAM (DDR4 SDRAM) DDR4 SDRAM (volatile DRAM)
Technology DDR4 —
Density 16 Gb —
سازمان 1G x 16 —
نرخ داده 3200 Mbps DDR4-2133 (2133 Mbps/pin)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Interface Voltage (VDDQ) 1.2 V —
بسته‌بندی FBGA-96 96-ball FBGA (TFBGA)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature for BCPB grade] 0C to +95C
Memory Format DRAM —
Packaging Tray —
Product Status Active —
Power Consumption 25% lower than DDR3 (per Samsung DDR4 family) —
Bank Group Architecture Yes (DDR4 internal bank groups) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Max Capacity Family Up to 32GB component (Samsung DDR4 family) —
اندازه حافظه — 8 Gb
Memory Organization — 512M x 16
ولتاژ تغذیه — 1.2 V
Operating Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V
رابط — DDR4 (16-bit data bus)
Die Generation — C-die (1Y nm class)
ویژگی‌ها — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Termination — On-die termination (ODT), dynamic
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Standard — JEDEC DDR4 SDRAM

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت