K4AAG165WA-BCWE vs K4AAG085WA-BCWE مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4AAG165WA-BCWE بواسطة Samsung Electronics و K4AAG085WA-BCWE بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4AAG165WA-BCWE | K4AAG085WA-BCWE |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 16 Gb (2 GB) | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| معدل البيانات | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V |
| العلبة | 96-ball FBGA | 78-ball FBGA (9 x 11 mm, 0.8 mm pitch) |
| Package Dimensions | 13 x 9 mm | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +95C | 0 C to 85 C |
| نوع الواجهة | Parallel, DDR4 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (Volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| Density | — | 16 Gbit |
| التنظيم | — | 2G x 8 |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| الواجهة | — | JEDEC DDR4 |
| Memory Width | — | 8-bit |
| Refresh | — | Auto-refresh (per JEDEC DDR4) |
| Application Class | — | Main memory / embedded DRAM |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |