K4AAG165WA-BCWE vs K4AAG085WA-BCWE तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4AAG165WA-BCWE द्वारा Samsung Electronics और K4AAG085WA-BCWE द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4AAG165WA-BCWE | K4AAG085WA-BCWE |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 16 Gb (2 GB) | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| डेटा दर | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | 1.2 V |
| पैकेज | 96-ball FBGA | 78-ball FBGA (9 x 11 mm, 0.8 mm pitch) |
| Package Dimensions | 13 x 9 mm | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +95C | 0 C to 85 C |
| इंटरफ़ेस प्रकार | Parallel, DDR4 | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (Volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| Density | — | 16 Gbit |
| संगठन | — | 2G x 8 |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| इंटरफ़ेस | — | JEDEC DDR4 |
| Memory Width | — | 8-bit |
| Refresh | — | Auto-refresh (per JEDEC DDR4) |
| Application Class | — | Main memory / embedded DRAM |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |