K4B4G1646D-BHMA vs K4B4G1646D-BYH9 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646D-BHMA بواسطة Samsung Electronics و K4B4G1646D-BYH9 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646D-BHMA | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | — |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| معدل البيانات | 1866 Mbps | 1333 Mbps |
| جهد التغذية | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V |
| العلبة | 96-ball FBGA | 96FBGA |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C to +95°C (TC) | 0 ~ 85 °C |
| زمن الوصول CAS | 13 (at 1866 Mbps) | Programmable |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| Die Version | D-die | D-die |
| Refresh Mode | Auto and Self Refresh | — |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Internal Calibration | — | Yes |