K4B4G1646D-BHMA vs K4B4G1646D-BYH9 比較
詳細並排比較 K4B4G1646D-BHMA 由 Samsung Electronics 與 K4B4G1646D-BYH9 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ 啟用中規格比較
| 參數 | K4B4G1646D-BHMA | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| 品牌 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | DDR3L SDRAM | — |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| 組織 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 資料速率 | 1866 Mbps | 1333 Mbps |
| 供應電壓 | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V |
| 封裝 | 96-ball FBGA | 96FBGA |
| 工作溫度 | -40°C to +95°C (TC) | 0 ~ 85 °C |
| CAS 延遲 | 13 (at 1866 Mbps) | Programmable |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| 無鹵素 | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| Die Version | D-die | D-die |
| Refresh Mode | Auto and Self Refresh | — |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Internal Calibration | — | Yes |