K4B4G1646E-BYMA vs K4B4G1646D-BYMA0 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646E-BYMA بواسطة Samsung Electronics و K4B4G1646D-BYMA0 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646E-BYMA | K4B4G1646D-BYMA0 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | $14.32 | — |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| جهد التغذية | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35 V |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| معدل البيانات | 1866 Mbps/pin | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to +95°C | — |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| العلبة | FBGA-96 | 96-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| RoHS | Compliant | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | — |
| عدد الدبابيس | 96 | — |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | 0°C to +85°C |
| Lead-Free | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Supported |
| Asynchronous Reset | — | Supported |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| Data Mask | — | Supported |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Supported |