K4B4G1646E-BYMA vs K4B4G1646D-BYMA0 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646E-BYMA tarafından Samsung Electronics ve K4B4G1646D-BYMA0 tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYMA0 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYMA0 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | K4B4G1646E-BYMA | K4B4G1646D-BYMA0 |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | $14,32 | — |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Besleme Gerilimi | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35 V |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Veri Hızı | 1866 Mbps/pin | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| İşletim Sıcaklığı | 0°C to +95°C | — |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| Paket | FBGA-96 | 96-ball FBGA |
| Montaj Türü | Surface Mount | — |
| RoHS | Compliant | — |
| CAS Gecikme | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | — |
| Pin Sayısı | 96 | — |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | 0°C to +85°C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Klorürsüz | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Supported |
| Asynchronous Reset | — | Supported |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| Data Mask | — | Supported |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Supported |