K4B4G1646E-BYMA vs K4B4G1646D-BYMA0 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646E-BYMA توسط Samsung Electronics و K4B4G1646D-BYMA0 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646E-BYMA | K4B4G1646D-BYMA0 |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | $14.32 | — |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35 V |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| نرخ داده | 1866 Mbps/pin | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| دمای کاری | 0°C to +95°C | — |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| بسته‌بندی | FBGA-96 | 96-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| RoHS | Compliant | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | — |
| تعداد پین‌ها | 96 | — |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| محدوده دمای کاری | — | 0°C to +85°C |
| Lead-Free | — | Yes |
| بدون هالوژن | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Supported |
| Asynchronous Reset | — | Supported |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| Data Mask | — | Supported |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Supported |