K4B4G1646E-BYMA vs K4B4G1646D-BYMA0 Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4B4G1646E-BYMA sa pamamagitan ng Samsung Electronics at K4B4G1646D-BYMA0 sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYMA0 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYMA0 ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4B4G1646E-BYMA | K4B4G1646D-BYMA0 |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Presyo ng Yunit (USD) | $14.32 | — |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35 V |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Rate ng Data | 1866 Mbps/pin | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Temperature na Operasyon | 0°C to +95°C | — |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| Packhaging | FBGA-96 | 96-ball FBGA |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Latensya ng CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | — |
| Bilang ng Pins | 96 | — |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | — | 0°C to +85°C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Wala sa Halogen | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Supported |
| Asynchronous Reset | — | Supported |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| Data Mask | — | Supported |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Supported |