K4RAH086VB-BCWM vs K4RAH165VB-BIQK مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RAH086VB-BCWM بواسطة Samsung Electronics و K4RAH165VB-BIQK بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4RAH086VB-BCWM | K4RAH165VB-BIQK |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | DRAM | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | $44.55 | — |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 16 Gb | — |
| التنظيم | 2G x 8 | 1G x 16 |
| معدل البيانات | 5600 Mbps | 4800 Mbps (MT/s) |
| جهد التغذية | 1.1 V | — |
| الواجهة | DDR5 (parallel) | — |
| العلبة | FBGA-82 | [DATA_NEEDED: exact package ball count / FBGA designation] |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| Technology | DRAM (volatile) | — |
| Speed Grade | BCWM | — |
| درجة حرارة التشغيل | Commercial temperature range (per datasheet) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | 32 (BL32, DDR5 standard) | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| حالة دورة الحياة | Active | — |
| Sub-channel Architecture | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| DLL Enabled Mode | — | Yes (spec mode per datasheet) |
| العلامة التجارية | — | Samsung Semiconductor |