K4RAH086VB-BIQK vs K4RAH086VB-BCWM مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RAH086VB-BIQK بواسطة Samsung Electronics و K4RAH086VB-BCWM بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | K4RAH086VB-BIQK | K4RAH086VB-BCWM |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $44.55 |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| التنظيم | 2G x 8 | 2G x 8 |
| معدل البيانات | 4800 Mbps/pin | 5600 Mbps |
| Core Supply Voltage | 1.1 V (nominal) | — |
| العلبة | 82FBGA | FBGA-82 |
| Configuration | X8 | — |
| Speed Grade | BIQK (-BIQK bin) | BCWM |
| ECC | On-die ECC (DDR5 standard) | On-die ECC |
| الواجهة | DDR5 (CA reduced pin count) | DDR5 (parallel) |
| Burst Length | 16 / 32 | 32 (BL32, DDR5 standard) |
| Operating Mode | DLL enabled | — |
| حالة RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) | Compliant |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | Commercial temperature range (per datasheet) |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| حجم الذاكرة | — | 16 Gb |
| جهد التغذية | — | 1.1 V |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| Technology | — | DRAM (volatile) |
| حالة دورة الحياة | — | Active |
| Sub-channel Architecture | — | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) |