K4RAH165VP-BCWM vs PDRQL8KCBF12-00 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RAH165VP-BCWM بواسطة Samsung Electronics و PDRQL8KCBF12-00 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4RAH165VP-BCWM | PDRQL8KCBF12-00 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | In Stock | — |
| سعر الوحدة (USD) | $24.61 | — |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gb |
| التنظيم | 1G x 16 | 2G x 8 |
| معدل البيانات | 5600 Mbps | 7200 MT/s |
| جهد التغذية | 1.1 V | 1.1 V |
| العلبة | FBGA-106 | FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| الواجهة | DDR5 (Double Data Rate 5) | Pseudo-differential DQ |
| Generation | DDR5, 16Gb B-die family | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Access Type | Synchronous, DLL enabled mode | — |
| Application Class | Mobile, tablet, consumer electronics DRAM | — |
| Packaging | [DATA_NEEDED: standard packing quantity] | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Burst Length | — | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) |
| On-die ECC | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Process Technology | — | 10nm-class |
| Lead-Free | — | Yes |