K4RHE086VB-BCWM vs K4RCH046VM-2CCM مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RHE086VB-BCWM بواسطة Samsung Electronics و K4RCH046VM-2CCM بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4RHE086VB-BCWM | K4RCH046VM-2CCM |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | NRND |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb | 32 Gb |
| التنظيم | 2G x 8 | 4G x 4 |
| معدل البيانات | 5600 Mbps | 5600 Mbps |
| جهد التغذية | 1.1 V | 1.1 V |
| العلبة | 82 FBGA | 78-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| الواجهة | DDR5 (JEDEC) | — |
| Configuration | x8 | — |
| Application Segment | Server / Data Center / Premium PC | — |
| Manufacturer | Samsung Semiconductor | — |
| حالة RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0 to 85 C |
| Access Time / CAS Latency | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| On-Die ECC | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] |
| Package Height | [DATA_NEEDED: package height] | — |
| Product Status | — | Sample |
| Access Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| نوع الواجهة | — | [DATA_NEEDED: interface type] |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |