K4RHE086VP vs K4RHE165VB-BCWM مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RHE086VP بواسطة Samsung Electronics و K4RHE165VB-BCWM بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4RHE086VP | K4RHE165VB-BCWM |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | DDR5 | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb | 24 Gb |
| التنظيم | x8 | 1G x 16 |
| Process Node | 1a-class (D1a) | — |
| Package Type | FBGA | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نوع الواجهة | DDR5 (double data rate 5) | — |
| Maximum Data Rate | [DATA_NEEDED: speed bin data rate] | — |
| Supply Voltage (VDD) | [DATA_NEEDED: VDD in V] | — |
| On-Die ECC | Yes (DDR5 standard feature) | — |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank group count] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: temperature range] | — |
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | — |
| Product Family | Samsung K4RHE DDR5 series | — |
| Typical Application | Server / client DRAM modules | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| معدل البيانات | — | 5600 Mbps |
| جهد التغذية | — | 1.1 V |
| العلبة | — | 106 FBGA |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0 C to +85 C |
| Product Status | — | Mass Production |
| الواجهة | — | Parallel, DDR5 |
| Generation | — | DDR5 |
| Application Segment | — | DDR5 memory modules and HPC systems |
| Speed Grade Suffix | — | BCWM |
| tCK (Clock Period) | — | [DATA_NEEDED: clock period] |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |