K4RHE165VB-BCWM vs K4RHE086VP مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RHE165VB-BCWM بواسطة Samsung Electronics و K4RHE086VP بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4RHE165VB-BCWM | K4RHE086VP |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | DDR5 |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb | 24 Gb |
| التنظيم | 1G x 16 | x8 |
| معدل البيانات | 5600 Mbps | — |
| جهد التغذية | 1.1 V | — |
| العلبة | 106 FBGA | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0 C to +85 C | — |
| Product Status | Mass Production | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| الواجهة | Parallel, DDR5 | — |
| Generation | DDR5 | — |
| Application Segment | DDR5 memory modules and HPC systems | — |
| Speed Grade Suffix | BCWM | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| tCK (Clock Period) | [DATA_NEEDED: clock period] | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Process Node | — | 1a-class (D1a) |
| Package Type | — | FBGA |
| نوع الواجهة | — | DDR5 (double data rate 5) |
| Maximum Data Rate | — | [DATA_NEEDED: speed bin data rate] |
| Supply Voltage (VDD) | — | [DATA_NEEDED: VDD in V] |
| On-Die ECC | — | Yes (DDR5 standard feature) |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: temperature range] |
| العلامة التجارية | — | Samsung Electronics |
| Product Family | — | Samsung K4RHE DDR5 series |
| Typical Application | — | Server / client DRAM modules |