K6X0808C1D-BF55 vs K6X0808C1D-GF55000 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K6X0808C1D-BF55 بواسطة Samsung Electronics و K6X0808C1D-GF55000 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ نشطSamsung Electronics
K6X0808C1D-GF55000 - 32Kx8 Async SRAM 55ns | Samsung Semiconductor
K6X0808C1D-GF55000 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | K6X0808C1D-BF55 | K6X0808C1D-GF55000 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | DRAM | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | Asynchronous SRAM | SRAM - Asynchronous |
| حجم الذاكرة | 256 Kbit | 256 Kbit |
| التنظيم | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| الواجهة | Parallel | Parallel |
| جهد التغذية | 5 V | 5 V |
| Technology | CMOS | Low-power CMOS |
| العلبة | 28-SOP | 28-SOP |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE (active low) |
| Memory Format | SRAM | Volatile, no refresh required |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | — |
| Refresh | Not required (static memory) | — |
| حالة RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Write Cycle Time | — | [DATA_NEEDED: write cycle time] |
| نوع الخرج | — | Three-state, common data I/O |