K6X0808C1D-BF55 vs K6X0808C1D-GF55000 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K6X0808C1D-BF55 توسط Samsung Electronics و K6X0808C1D-GF55000 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ فعالSamsung Electronics
K6X0808C1D-GF55000 - 32Kx8 Async SRAM 55ns | Samsung Semiconductor
K6X0808C1D-GF55000 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | K6X0808C1D-BF55 | K6X0808C1D-GF55000 |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | DRAM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | Asynchronous SRAM | SRAM - Asynchronous |
| اندازه حافظه | 256 Kbit | 256 Kbit |
| سازمان | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| رابط | Parallel | Parallel |
| ولتاژ تغذیه | 5 V | 5 V |
| Technology | CMOS | Low-power CMOS |
| بسته‌بندی | 28-SOP | 28-SOP |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE (active low) |
| Memory Format | SRAM | Volatile, no refresh required |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | — |
| Refresh | Not required (static memory) | — |
| وضعیت RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Write Cycle Time | — | [DATA_NEEDED: write cycle time] |
| نوع خروجی | — | Three-state, common data I/O |