M25P16-VMN3TPB vs AT45DB041D-SU مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M25P16-VMN3TPB بواسطة Micron Technology و AT45DB041D-SU بواسطة Renesas Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M25P16-VMN3TPB M25P16-VMN3TPB - 16Mbit SPI NOR Flash 75MHz | Micron

M25P16-VMN3TPB - 16Mbit SPI NOR Flash 75MHz | Micron

M25P16-VMN3TPB ✓ نشط
Renesas Electronics
AT45DB041D-SU AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M25P16-VMN3TPB AT45DB041D-SU
العلامة التجارية Micron Technology Renesas Electronics
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash (Serial SPI) DataFLASH NOR
حجم الذاكرة 16 Mbit (2 M x 8) —
التنظيم 2 Mbyte x 8 2,048 pages x 264 bytes (binary) or 256 bytes (standard)
الواجهة SPI Serial SPI, RapidS (SPI modes 0 and 3)
أقصى تردد للساعة 75 MHz 66 MHz
جهد التغذية 2.7 V to 3.6 V (single supply) 2.7 V to 3.6 V
Access Time 15 ns —
Page Program Time 0.64 ms typ (256-byte page) [DATA_NEEDED: page program time]
Sector Erase Time 0.6 s typ (512 Kbit sector) —
Bulk Erase Time 13 s typ (16 Mbit) —
Sector Count 32 sectors of 64 Kbyte —
Write Protection Advanced write-protection mechanisms —
درجة حرارة التشغيل -40C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
العلبة 8-SOIC (3.90 mm width, 150 mil) 8-pin SOIC (150 mil, EIAJ)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TPB suffix) —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Memory Format — FLASH
Density — 4 Mbit (4,325,376 bits)
SRAM Data Buffers — 2 x 264 bytes
Endurance — 100,000 program/erase cycles per page
Data Retention — 20 years minimum
Security Register — 128 bytes
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر