M25P16-VMN3TPB vs AT45DB041D-SU तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M25P16-VMN3TPB द्वारा Micron Technology और AT45DB041D-SU द्वारा Renesas Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M25P16-VMN3TPB M25P16-VMN3TPB - 16Mbit SPI NOR Flash 75MHz | Micron

M25P16-VMN3TPB - 16Mbit SPI NOR Flash 75MHz | Micron

M25P16-VMN3TPB ✓ सक्रिय
Renesas Electronics
AT45DB041D-SU AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M25P16-VMN3TPB AT45DB041D-SU
ब्रांड Micron Technology Renesas Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार NOR Flash (Serial SPI) DataFLASH NOR
मेमोरी आकार 16 Mbit (2 M x 8) —
संगठन 2 Mbyte x 8 2,048 pages x 264 bytes (binary) or 256 bytes (standard)
इंटरफ़ेस SPI Serial SPI, RapidS (SPI modes 0 and 3)
अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी 75 MHz 66 MHz
सप्लाई वोल्टेज 2.7 V to 3.6 V (single supply) 2.7 V to 3.6 V
Access Time 15 ns —
Page Program Time 0.64 ms typ (256-byte page) [DATA_NEEDED: page program time]
Sector Erase Time 0.6 s typ (512 Kbit sector) —
Bulk Erase Time 13 s typ (16 Mbit) —
Sector Count 32 sectors of 64 Kbyte —
Write Protection Advanced write-protection mechanisms —
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
पैकेज 8-SOIC (3.90 mm width, 150 mil) 8-pin SOIC (150 mil, EIAJ)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TPB suffix) —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Memory Format — FLASH
Density — 4 Mbit (4,325,376 bits)
SRAM Data Buffers — 2 x 264 bytes
Endurance — 100,000 program/erase cycles per page
Data Retention — 20 years minimum
Security Register — 128 bytes
Lead-Free — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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