M25P16-VMN3TPB vs AT45DB041D-SU Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M25P16-VMN3TPB tarafından Micron Technology ve AT45DB041D-SU tarafından Renesas ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M25P16-VMN3TPB M25P16-VMN3TPB - 16Mbit SPI NOR Flash 75MHz | Micron

M25P16-VMN3TPB - 16Mbit SPI NOR Flash 75MHz | Micron

M25P16-VMN3TPB ✓ Aktif
Renesas Electronics
AT45DB041D-SU AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M25P16-VMN3TPB AT45DB041D-SU
Marka Micron Technology Renesas Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü NOR Flash (Serial SPI) DataFLASH NOR
Bellek Boyutu 16 Mbit (2 M x 8) —
Organizasyon 2 Mbyte x 8 2,048 pages x 264 bytes (binary) or 256 bytes (standard)
Arayüz SPI Serial SPI, RapidS (SPI modes 0 and 3)
Azami Saat Hızı 75 MHz 66 MHz
Besleme Gerilimi 2.7 V to 3.6 V (single supply) 2.7 V to 3.6 V
Access Time 15 ns —
Page Program Time 0.64 ms typ (256-byte page) [DATA_NEEDED: page program time]
Sector Erase Time 0.6 s typ (512 Kbit sector) —
Bulk Erase Time 13 s typ (16 Mbit) —
Sector Count 32 sectors of 64 Kbyte —
Write Protection Advanced write-protection mechanisms —
İşletim Sıcaklığı -40C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Paket 8-SOIC (3.90 mm width, 150 mil) 8-pin SOIC (150 mil, EIAJ)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TPB suffix) —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Memory Format — FLASH
Density — 4 Mbit (4,325,376 bits)
SRAM Data Buffers — 2 x 264 bytes
Endurance — 100,000 program/erase cycles per page
Data Retention — 20 years minimum
Security Register — 128 bytes
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin