M29F160FB55N3E2 vs M29F160FB55N3F2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F160FB55N3E2 بواسطة Micron Technology و M29F160FB55N3F2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29F160FB55N3E2 M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 ✓ نشط
Micron Technology
M29F160FB55N3F2 M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 Obsolete

مقارنة المواصفات

المعامل M29F160FB55N3E2 M29F160FB55N3F2
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط Obsolete
نوع الذاكرة NOR Flash - Parallel, Asynchronous Parallel NOR Flash
Density 16777 kbits (16 Mbit) 16777 kbits (16 Mbit)
التنظيم 1 M x 16 / 2 M x 8 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits
Number of Words 1000 k 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
الواجهة Parallel Parallel
Boot Block Bottom Boot Block (FB) —
Programming Algorithm Embedded byte/word program and erase controller —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C -40 to +125 C
العلبة 48-TSOP I —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
حالة RoHS ROHS3 Compliant Compliant (lead-free)
Lead Free Status Lead Free —
جهد التغذية — 5 V
Boot Block Architecture — Bottom Boot Block
Package Type — 48-TSOP
Termination Finish — Lead-free (F2 suffix)
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Block Protection — Hardware boot block protection
Speed Grade (from MPN) — 55 (55 ns)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر