M29F800FB55M3F2 vs M29F800FB55N3F2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F800FB55M3F2 بواسطة Micron Technology و M29F800FB55N3F2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | M29F800FB55M3F2 | M29F800FB55N3F2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | NOR Flash, Parallel | — |
| Density | 8389 kbits (8 Mbit) | — |
| التنظيم | 512K x 16-bit / 1M x 8-bit | 1M x 8 / 512K x 16 |
| Number of Words | 512 k | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | — |
| Boot Block Type | Bottom Boot Block | — |
| الواجهة | Parallel, Asynchronous | — |
| Programming | Embedded byte/word program algorithms | — |
| OTP Area | 64 byte | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Automotive Qualification | Auto Grade 3 (temperature grade 3, +125C) | — |
| العلبة | 44-pin SO (SOIC-44) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Packing | Tape & Reel (T/R) | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (lead-free terminations) |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Memory Density | — | 8389 kbits (8 Mbit) |
| جهد التغذية | — | 5 V |
| نوع الواجهة | — | Parallel NOR |
| Boot Block Architecture | — | Bottom Boot Block |
| Program/Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Temperature Grade | — | Automotive (AEC-Q100) |
| Package Type | — | 48-pin TSOP1 |
| Package Shape | — | Rectangular (JESD designation TSOP1) |
| Terminal Count | — | 48 |
| JESD-609 Termination Code | — | e3 (lead-free) |
| Packaging | — | Tape & Reel (T/R) |