M29W064FT70N3E vs M29W064FB70N3E مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W064FT70N3E بواسطة Micron Technology و M29W064FB70N3E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | M29W064FT70N3E | M29W064FB70N3E |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Flash |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash, Parallel |
| Density | 64 Mbit | — |
| التنظيم | 8 Mb x8 or 4 Mb x16 | — |
| الواجهة | Parallel, CFI compliant | Parallel, CFI compliant |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| جهد التغذية | 2.7 V to 3.6 V | 3.0 V to 3.6 V (3V/3.3V) |
| Boot Block Architecture | Top boot block (FT) | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +85C | -40C to +125C |
| العلبة | 48-TSOP | 48-Pin TSOP |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Programming Voltage | Single 3 V supply (no separate VPP required) | — |
| Erase/Program Method | Command-set page programming, block erase | — |
| Product Longevity Program | No | — |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: active read supply current] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | Compliant |
| حجم الذاكرة | — | 64 Mbit (8M x 8 / 4M x 16) |
| Boot Block | — | Bottom boot block (FB variant) |
| Organization Switching | — | Byte/Word selectable via BYTE# pin |
| Reset/Power-Down | — | RP# pin |
| Data Protection | — | Block protection, WP# hardware protection |
| Device Signature | — | Electronic signature for device identification |
| Packaging | — | Tray |
| Brand Source | — | Micron Technology / Alliance Memory, Inc. (second source) |
| Erase/Program Mode | — | Word/byte program, block erase, chip erase |