M29W160EB70N3E vs M29W160EB70N3F مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W160EB70N3E بواسطة Micron Technology و M29W160EB70N3F بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | M29W160EB70N3E | M29W160EB70N3F |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | FLASH - NOR | FLASH - NOR |
| حجم الذاكرة | 16 Mbit (2M x8, 1M x16) | 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) |
| التنظيم | 2M x8 / 1M x16 | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| الواجهة | Parallel | Parallel (Byte/Word-wide) |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| Programming Time | 10 us (typical) | 10 us per byte/word (typical) |
| Cell Type | SLC NOR | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| العلبة / الحالة | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) | 48-TSOP (0.724 in, 18.40 mm width) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | Tape & Reel |
| Speed Grade | -70 | — |
| FBGA Code | N/A (TSOP package) | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Boot Block Position | — | Bottom boot block |
| Bus Configuration | — | x8 / x16 selectable (BYTE# pin) |
| Qualification | — | Automotive, AEC-Q100 |
| Erase Architecture | — | Block erase (boot block + main blocks) |
| Common Flash Interface | — | Yes (CFI compliant) |
| Reset Input | — | RESET# hardware reset pin |