M29W160EB70N3E vs M29W160ET70N3F مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W160EB70N3E بواسطة Micron Technology و M29W160ET70N3F بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | M29W160EB70N3E | M29W160ET70N3F |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | FLASH - NOR | Parallel NOR Flash |
| حجم الذاكرة | 16 Mbit (2M x8, 1M x16) | 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16) |
| التنظيم | 2M x8 / 1M x16 | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| الواجهة | Parallel | — |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | — |
| Programming Time | 10 us (typical) | — |
| Cell Type | SLC NOR | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | — |
| العلبة / الحالة | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | Tape and Reel |
| Speed Grade | -70 | — |
| FBGA Code | N/A (TSOP package) | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | RoHS-compliant package (F option) |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| جهد التغذية | — | 3 V / 3.3 V |
| Technology | — | CMOS |
| Boot Block Architecture | — | Top boot |
| Bus Configuration | — | x8 / x16 selectable |
| العلبة | — | 48-pin TSOP |
| Temperature Grade | — | Automotive (AEC-Q100) |
| Qualification | — | AEC-Q100 qualified |
| Programming Interface | — | Parallel command set |
| Number of Terminals | — | 48 |