M29W160EB70N3E vs M29W160ET70N3F Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W160EB70N3E tarafından Micron Technology ve M29W160ET70N3F tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ Aktif
Micron Technology
M29W160ET70N3F M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29W160EB70N3E M29W160ET70N3F
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü FLASH - NOR Parallel NOR Flash
Bellek Boyutu 16 Mbit (2M x8, 1M x16) 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16)
Organizasyon 2M x8 / 1M x16 —
Access Time 70 ns 70 ns
Arayüz Parallel —
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Programming Time 10 us (typical) —
Cell Type SLC NOR —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C —
Paket / Kas 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tape and Reel
Speed Grade -70 —
FBGA Code N/A (TSOP package) —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] RoHS-compliant package (F option)
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Besleme Gerilimi — 3 V / 3.3 V
Technology — CMOS
Boot Block Architecture — Top boot
Bus Configuration — x8 / x16 selectable
Paket — 48-pin TSOP
Temperature Grade — Automotive (AEC-Q100)
Qualification — AEC-Q100 qualified
Programming Interface — Parallel command set
Number of Terminals — 48

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin