M29W160EB70N3E vs M29W160FB70N3E مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W160EB70N3E بواسطة Micron Technology و M29W160FB70N3E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ نشط
Micron Technology
M29W160FB70N3E M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29W160EB70N3E M29W160FB70N3E
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة FLASH - NOR FLASH - NOR
حجم الذاكرة 16 Mbit (2M x8, 1M x16) 16 Mbit (2M x8 / 1M x16)
التنظيم 2M x8 / 1M x16 —
Access Time 70 ns 70 ns
الواجهة Parallel Parallel
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 3.0 V to 3.6 V
Programming Time 10 us (typical) —
Cell Type SLC NOR —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
العلبة / الحالة 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tray
Speed Grade -70 —
FBGA Code N/A (TSOP package) —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Programming Voltage — Single supply (no separate VPP required)
Bus Configuration — x8 / x16 selectable (BYTE# pin)
Architecture — Boot block
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Status Output — Data polling / toggle bit
Block Protection — Yes (boot block protection)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر