M29W160EB70N3E vs M29W160FB70N3E השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של M29W160EB70N3E מאת Micron Technology ו M29W160FB70N3E מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Micron Technology
M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ פעיל
Micron Technology
M29W160FB70N3E M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר M29W160EB70N3E M29W160FB70N3E
מותג Micron Technology Micron Technology
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון FLASH - NOR FLASH - NOR
גודל זיכרון 16 Mbit (2M x8, 1M x16) 16 Mbit (2M x8 / 1M x16)
ארגון 2M x8 / 1M x16 —
Access Time 70 ns 70 ns
ממשק Parallel Parallel
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 3.0 V to 3.6 V
Programming Time 10 us (typical) —
Cell Type SLC NOR —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
מארז / Case 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tray
Speed Grade -70 —
FBGA Code N/A (TSOP package) —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
רמת MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Programming Voltage — Single supply (no separate VPP required)
Bus Configuration — x8 / x16 selectable (BYTE# pin)
Architecture — Boot block
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Status Output — Data polling / toggle bit
Block Protection — Yes (boot block protection)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר