M29W160EB70N3E vs M29W160FB70N3E Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W160EB70N3E tarafından Micron Technology ve M29W160FB70N3E tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ Aktif
Micron Technology
M29W160FB70N3E M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29W160EB70N3E M29W160FB70N3E
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü FLASH - NOR FLASH - NOR
Bellek Boyutu 16 Mbit (2M x8, 1M x16) 16 Mbit (2M x8 / 1M x16)
Organizasyon 2M x8 / 1M x16 —
Access Time 70 ns 70 ns
Arayüz Parallel Parallel
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 3.0 V to 3.6 V
Programming Time 10 us (typical) —
Cell Type SLC NOR —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Paket / Kas 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tray
Speed Grade -70 —
FBGA Code N/A (TSOP package) —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Programming Voltage — Single supply (no separate VPP required)
Bus Configuration — x8 / x16 selectable (BYTE# pin)
Architecture — Boot block
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Status Output — Data polling / toggle bit
Block Protection — Yes (boot block protection)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin