M29W160ET70N3E vs M29W160EB70N3E مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W160ET70N3E بواسطة Micron Technology و M29W160EB70N3E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29W160ET70N3E M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron

M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron

M29W160ET70N3E ✓ نشط
Micron Technology
M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29W160ET70N3E M29W160EB70N3E
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash (Parallel) FLASH - NOR
حجم الذاكرة 16 Mbit 16 Mbit (2M x8, 1M x16)
التنظيم 2M x 8 / 1M x 16 2M x8 / 1M x16
Access Time 70 ns 70 ns
الواجهة Parallel Parallel
جهد التغذية 3 V / 3.3 V (nominal) —
Boot Block Location Top boot —
العلبة 48-TSOP —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Bus Width Selection BYTE# pin, x8 or x16 —
Sector Protection Hardware boot block protection —
Programming Type Automatic program and erase —
Packing Tray (RoHS-compliant package, standard packing) —
حالة RoHS Compliant (E suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Programming Time — 10 us (typical)
Cell Type — SLC NOR
العلبة / الحالة — 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width)
Packaging — Tray
Speed Grade — -70
FBGA Code — N/A (TSOP package)
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر