M29W160ET70N3E vs M29W160EB70N3E Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W160ET70N3E tarafından Micron Technology ve M29W160EB70N3E tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29W160ET70N3E M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron

M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron

M29W160ET70N3E ✓ Aktif
Micron Technology
M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29W160ET70N3E M29W160EB70N3E
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü NOR Flash (Parallel) FLASH - NOR
Bellek Boyutu 16 Mbit 16 Mbit (2M x8, 1M x16)
Organizasyon 2M x 8 / 1M x 16 2M x8 / 1M x16
Access Time 70 ns 70 ns
Arayüz Parallel Parallel
Besleme Gerilimi 3 V / 3.3 V (nominal) —
Boot Block Location Top boot —
Paket 48-TSOP —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Bus Width Selection BYTE# pin, x8 or x16 —
Sector Protection Hardware boot block protection —
Programming Type Automatic program and erase —
Packing Tray (RoHS-compliant package, standard packing) —
RoHS Durumu Compliant (E suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Programming Time — 10 us (typical)
Cell Type — SLC NOR
Paket / Kas — 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width)
Packaging — Tray
Speed Grade — -70
FBGA Code — N/A (TSOP package)
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin