M29W160FB70N3E vs M29W800FT70ZA3SE مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W160FB70N3E بواسطة Micron Technology و M29W800FT70ZA3SE بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29W160FB70N3E M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E ✓ نشط
Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29W160FB70N3E M29W800FT70ZA3SE
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs EEPROM
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة FLASH - NOR NOR Flash (Parallel)
حجم الذاكرة 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) 8 Mbit
Access Time 70 ns 70 ns
الواجهة Parallel Parallel
Supply Voltage (VCC) 3.0 V to 3.6 V —
Programming Voltage Single supply (no separate VPP required) —
Bus Configuration x8 / x16 selectable (BYTE# pin) —
Architecture Boot block —
العلبة / الحالة 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Status Output Data polling / toggle bit —
Block Protection Yes (boot block protection) —
التنظيم — 512K x 16
Technology — SLC
جهد التغذية — 2.7 V to 3.6 V
العلبة — 48-TFBGA (6x8 mm)
Programming Interface — CFI command set
Boot Block Architecture — Top boot (FT = top boot block)
Density — 8 Mb
FBGA Code — [DATA_NEEDED: FBGA code]
Chipset Validation — N/A
حالة RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: endurance]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر